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#이젠 cHBM 경쟁…삼성·SK·마이크론 실리콘밸리서 기술 뽐낸다
#美 실리콘밸리서 글로벌 반도체 포럼 개최커스텀HBM 등 HBM 확장·도입 등 기술 논의인텔, 마벨, 브로드컴 등 참가…차세대 로드맵 주목[이데일리 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 미국 실리콘밸리에서 열리는 글로벌 반도체 포럼에 참가해 차세대 고대역폭메모리(HBM) 도입과 확장성에 대해 논의한다. 커스텀 HBM(cHBM) 등 차세대 HBM 기술 개발에 속도를 내고 있는 만큼, 양사는 이번 행사에서 기술 경쟁력을 부각할 것으로 보인다. 12일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 오는 4월 20~21일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열리는 ‘글로벌 반도체 경영진 서밋(ISES) USA 2026’에 참가한다. ISES는 국제반도체산업그룹(ISIG)이 주최하는 반도체 전문 국제서밋으로 올해 행사에는 엔비디아를 비롯해 인텔, 마벨, 메타, AMD 등 주요 AI 기업 임원진이 대거 참석한다. 올해 주제는 ‘AI 확장: 하드웨어 혁신, 연산 가속, 그리고 차세대 인프라’다. 삼성전자와 SK하이닉스는 ‘AI, 클라우드 및 가속 컴퓨팅을 위한 HBM·cHBM 도입 및 확장성’을 주제로 한 패널 토론에 참여한다. 오드리 찰스 램리서치 기업 전략 및 첨단 패키징 수석 부사장이 세션의 좌장을 맡고, 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯해 마이크론, 마벨 등 글로벌 메모리·플랫폼 기업 부사장급 인사들이 패널로 한자리에 모인다. 삼성전자에서는 김인동 삼성전자 D램 제품 기획 담당 상무가, SK하이닉스에서는 이재식 패키지 엔지니어링 담당 부사장이 참석한다. 이번 세션에서는 메모리, 패키징, 플랫폼 분야 주요 리더들이 HBM 확장을 위한 기술적 과제와 첨단 패키징 방안을 중심으로 논의를 진행한다. AI 인프라 확장을 위한 실질적인 해법을 집중적으로 다룬다. 주요 메모리 기업들은 HBM4에 이어 HBM4E(7세대), HBM5(8세대) 등 세대를 고도화하며 메모리 병목현상을 해소하기 위한 차세대 기술을 연구 중이다. 이와 함께 커스텀 HBM도 준비 중이다. 업계에서는 표준형
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